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利用 AI 技术将图片转换为令人惊叹的 3D 模型

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TRELLIS 2 技术架构解析:它到底是怎么工作的?(2026)
2026/05/03
4 分钟阅读

TRELLIS 2 技术架构解析:它到底是怎么工作的?(2026)

深入解析 Microsoft TRELLIS 2 的技术架构,了解 O-Voxel 表示法、SC-VAE 压缩和流匹配 DiT 如何协同工作,在 3 秒内从图片生成 3D 模型。

最后更新:2026 年 5 月 3 日

TRELLIS 2 能在约 3 秒内从一张图片生成可用于生产的 3D 模型。但在上传照片和下载 GLB 文件之间,究竟发生了什么?本文将拆解微软研究院这个 3D 生成模型背后的技术架构——从 O-Voxel 表示法到三阶段扩散流程——即使你没有机器学习背景也能看懂。

核心问题:AI 如何表示 3D?

理解 TRELLIS 2 之前,先要理解为什么 3D 生成比 2D 图像生成更难。

2D 图像就是像素网格——简单、均匀,神经网络很容易处理。但 3D 物体完全不同:

  • 不规则几何:弯曲、折叠、交叉的表面
  • 内部空洞:杯子内部、面具背面
  • 开放表面:斗篷、树叶、布料
  • 材质属性:颜色、金属度、粗糙度——在表面各处不断变化

传统的 3D 表示方法各有取舍。神经辐射场(NeRF)能产生逼真效果但渲染慢。符号距离场(SDF)处理几何不错但难以应对开放表面。多边形网格渲染快但 AI 很难直接生成。

TRELLIS 2 引入了一种名为 O-Voxel 的新表示方法,同时解决了这些问题。

O-Voxel:TRELLIS 2 的基石

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O-Voxel(Omni-Voxel)是一种无场稀疏体素表示。我们逐一拆解。

稀疏:只存储有意义的数据

3D 物体只占据周围空间的一小部分。O-Voxel 不为 3D 网格中的每个点都存储信息,而是只存储被占用的体素——包含物体部分的那部分体素。这让表示方法既紧凑又高效。

无场:不需要隐式解码

NeRF 和 SDF 等先前方法使用隐式神经场——你在任意 3D 点查询一个神经网络,它返回一个值。这种方式很灵活但很慢,因为每次查询都需要一次网络前向传播。

O-Voxel 直接在每个体素上存储几何数据,消除了隐式场解码器。每个被占用的体素包含:

特征存储内容
v(顶点位置)体素内部的精确顶点坐标
delta(边交叉标志)二进制标记,指示表面穿过哪些边
gamma(分裂权重)处理单个体素内多面交汇时的分裂情况

这些数据足以通过一种叫 Dual Contouring 的技术重建网格——而且速度极快。用 CUDA 加速,O-Voxel 转网格不到 100 毫秒。

处理复杂拓扑

大多数 3D 表示方法只能处理封闭的流形表面(如球体)。O-Voxel 的 Flexible Dual Grid 公式可以处理:

  • 开放表面——斗篷、树叶、布料
  • 非流形几何——多个表面在一条边交汇
  • 内部空腔——带有封闭空隙的空心物体

这是相比 TRELLIS v1 的 SLAT 表示的重要优势,后者在拓扑支持上比较有限。

SC-VAE:16 倍空间压缩

以高分辨率生成 3D 需要大量数据。一个 1024³ 体素网格包含超过 10 亿个潜在点。TRELLIS 2 使用**稀疏压缩变分自编码器(SC-VAE)**将数据压缩到大约 9,600 个潜在标记——16 倍空间压缩比。

SC-VAE 如何工作

SC-VAE 是一个稀疏卷积 U-Net,约有 8 亿参数(编码器 3.54 亿 + 解码器 4.74 亿)。它包含三个关键创新:

1. 稀疏残差自编码

非参数化的跳跃连接,即使在高压缩比下也能保留精细的几何细节。不同于可学习的跳跃连接,这些连接不引入额外参数,也不会增加过拟合风险。

2. 早期剪枝上采样器

在解码(上采样)过程中,模型会预测哪些子体素是实际被占用的。它直接跳过空体素的计算——这显著减少了生成时的内存和计算量。

3. 优化残差块

采用 ConvNeXt 风格设计——单次卷积后接一个宽点式 MLP。比传统残差块更高效,同时保持表达能力。

两个独立的 SC-VAE

TRELLIS 2 训练了两个独立的 SC-VAE:

SC-VAE编码/解码内容条件依赖
形状 SC-VAE几何信息(顶点位置、边交叉)输入图像
材质 SC-VAEPBR 材质(颜色、金属度、粗糙度)输入图像 + 形状潜在表示

材质 SC-VAE 以形状输出为条件,确保纹理与几何正确对齐。

DiT 主干网络:流匹配扩散 Transformer

TRELLIS 2 的核心是三个扩散 Transformer(DiT)——每个生成阶段各一个。每个约有 13 亿参数(三个合计约 40 亿)。

架构规格

参数值
隐藏层宽度1,536
Transformer 块数30
注意力头数12
MLP 宽度8,192

关键技术

RoPE(旋转位置编码)——使模型能够跨分辨率泛化。在 512³ 和 1024³ 上训练,推理时可外推到 1536³。

QK-Norm——对注意力中的 Query 和 Key 向量应用 RMSNorm 归一化,防止注意力分数爆炸,提高训练稳定性。

AdaLN-Single——自适应层归一化通过共享 MLP 注入条件信号(图像特征、时间步),相比逐层调制减少了参数量。

流匹配与 Rectified Flow

TRELLIS 2 使用 Rectified Flow——一种沿直线路径将噪声映射到数据的流匹配公式。相比传统 DDPM 扩散:

  • 更少的采样步骤即可达到同等质量(12 步 vs 50+ 步)
  • 更高效的训练,配合 logitNormal(1,1) 时间步采样
  • 更快的推理——直线路径意味着模型需要更少的步骤达到高质量输出

三阶段生成流程

当你上传一张图片到 TRELLIS 2 时,会发生以下过程:

阶段一:稀疏结构生成

输入:一张图片(或文本提示) 输出:二进制体素占用网格

第一个 DiT 模型预测 3D 空间中哪些体素是被占用的。可以理解为"勾勒轮廓"——模型确定物体的大致形状和范围,但不包含任何精细细节。

阶段二:几何生成

输入:占用网格 + 图像特征 输出:几何潜在表示

第二个 DiT 为每个被占用的体素生成几何潜在表示。形状 SC-VAE 将这些解码为 O-Voxel 特征(顶点位置、边交叉标志、分裂权重),然后通过 Dual Contouring 转换为网格。

阶段三:材质生成

输入:形状潜在表示 + 图像特征 输出:材质潜在表示

第三个 DiT 以形状输出为条件生成材质潜在表示。材质 SC-VAE 将这些解码为每个体素的 PBR 材质属性:

通道属性范围
c基础颜色 (RGB)每通道 0–1
m金属度0–1
r粗糙度0–1
alpha不透明度0–1

材质完全在 3D 空间中生成,而非通过 UV 映射或多视图渲染。这意味着纹理从每个角度看都是无缝且一致的。

图像如何条件化生成

输入图像通过 DINOv3-L 编码器处理,提取视觉特征。这些特征通过交叉注意力注入到每个 DiT 模型——与 Stable Diffusion 中用于文本条件的机制相同。

不同分辨率下的性能

分辨率总耗时形状材质硬件
512³~3 秒~2 秒~1 秒NVIDIA H100
1024³~17 秒~10 秒~7 秒NVIDIA H100
1536³~60 秒~35 秒~25 秒NVIDIA H100

模型使用渐进式训练——从 512³ 开始,然后扩展到 1024³。1536³ 模式通过级联推理实现测试时扩展,迭代应用模型来优化输出。

O-Voxel vs SLAT:v1 到 v2 的变化

方面TRELLIS v1 (SLAT)TRELLIS 2 (O-Voxel)
表示方法结构化潜在表示 (SLAT)无场稀疏体素
压缩比4 倍空间下采样16 倍空间下采样
网格解码通过神经场查询直接 Dual Contouring(< 100ms)
拓扑支持仅封闭表面开放、非流形、内部空腔
纹理方式多视图 / UV 相关原生 3D 材质推理
材质类型基础颜色完整 PBR(颜色、金属度、粗糙度、不透明度)
参数量~20 亿40 亿

从 SLAT 到 O-Voxel 是最大的架构变化。通过消除隐式场并直接存储几何,TRELLIS 2 实现了更快的解码、更好的拓扑处理和更高的视觉质量。

PBR 纹理生成:3D 空间中的材质

TRELLIS 2 的材质生成值得特别关注,因为它完全在 3D 空间中操作,而非通过传统的 UV 映射或多视图合成。

工作原理

  1. 形状已经生成(阶段 1-2)
  2. 形状潜在表示与图像特征在通道维度上拼接
  3. 材质 DiT 为每个被占用的体素生成材质潜在表示
  4. 材质 SC-VAE 将这些解码为 PBR 属性
  5. Split-sum 渲染器(来自 nvdiffrec)确保在不同光照条件下的物理准确性

独立纹理生成

阶段三可以独立运行。给定一个已有的 3D 形状,你可以为它生成新的纹理。这意味着:

  • 纹理变体:为同一模型生成多套纹理
  • 重新贴图:为现有 3D 资产应用新材质
  • 风格迁移:从相同几何生成不同艺术风格的纹理

多格式输出

同一个 O-Voxel 表示可以解码为多种输出格式:

格式扩展名解码方式
网格.glb从 O-Voxel 特征通过 Dual Contouring
3D 高斯溅射.ply在体素中心放置高斯
NeRF.npz拟合神经场到 O-Voxel 数据

GLB 导出支持可配置的网格简化(目标面数)、最高 4096×4096 的纹理分辨率,以及可选的 WebP 纹理压缩。

FlexGEMM:自定义稀疏卷积后端

TRELLIS 2 包含一个名为 FlexGEMM 的自定义稀疏卷积后端,使用 Triton 实现:

  • Masked Implicit GEMM 策略实现高效稀疏运算
  • Gray 码排序优化 SIMD 效率
  • Split-K 技术实现并行归约
  • 比现有稀疏卷积库快高达 2 倍

这个自定义后端是 TRELLIS 2 能在 512³ 分辨率下实现 3 秒生成的部分原因——那些可能成为标准实现瓶颈的稀疏运算被高度优化了。

技术规格总览

规格值
总参数量~40 亿
DiT 模型3 × 13 亿
SC-VAE 参数量~8 亿(形状 + 材质)
最大分辨率1536³ 体素
压缩比16 倍(1024³ → ~9,600 个标记)
图像编码器DINOv3-L
流匹配Rectified Flow,logitNormal(1,1)
开源许可MIT
训练数据500,000+ 多样化 3D 物体
学术会议CVPR 2025

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理解架构是一回事,实际体验又是另一回事。我们的平台在优化过的硬件上运行 TRELLIS 2,让你无需本地设置就能生成 3D 模型。

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核心问题:AI 如何表示 3D?O-Voxel:TRELLIS 2 的基石稀疏:只存储有意义的数据无场:不需要隐式解码处理复杂拓扑SC-VAE:16 倍空间压缩SC-VAE 如何工作两个独立的 SC-VAEDiT 主干网络:流匹配扩散 Transformer架构规格关键技术流匹配与 Rectified Flow三阶段生成流程阶段一:稀疏结构生成阶段二:几何生成阶段三:材质生成图像如何条件化生成不同分辨率下的性能O-Voxel vs SLAT:v1 到 v2 的变化PBR 纹理生成:3D 空间中的材质工作原理独立纹理生成多格式输出FlexGEMM:自定义稀疏卷积后端技术规格总览亲自体验 TRELLIS 2
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